VIA C3 Ezra-T
- Ядро Ezra-Tualatin (C5M — алюминиевые соединения,
C5N — медные соединения)
- Год выпуска 2002
- Технология производства 0,15 и 0,13 мкм
- Количество транзисторов 15,5 млн.
- Разрядность 32 бит
- Адресуемая память 4 Гбайт
- Набор команд x86, MMX, 3DNow!
- Кэш-память первого уровня 128 Кбайт
- Кэш-память второго уровня 64 Кбайт
- Тактовая частота 800–1200 МГц
- C5M — 800–1000 МГц
- C5N — 900–1200 МГц
- Частота шины 100–133 МГц
- Разъём Socket 370
- Напряжение 1,35 В
- Выделяемая мощность 7–12 Вт
- Предельная температура 70 °C
VIA C3 Ezra-T Вы можете обсудить на форуме. |